Az MBRB10H35-E3/45 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az MBRB10H35-E3/45 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetMBRB10H35-E3/45e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon MBRB10H35-E3/45 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
MBRB10H35-E3/45
- Cikkszám:
- MBRB10H35-E3/45
- Gyártó:
- Leírás:
- DIODE SCHOTTKY 35V 10A TO263AB
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 21217 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- MBRB10H35-E3/45.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - Peak Reverse (Max): | Schottky |
| Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: | 10A |
| Feszültségelosztás: | TO-263AB |
| Sorozat: | Automotive, AEC-Q101 |
| RoHS állapot: | Tube |
| Hátralévő helyreállítási idő (trr): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Ellenállás @ If, F: | - |
| Polarizáció: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Gyártási szám: | MBRB10H35-E3/45 |
| Bővített leírás: | Diode Schottky 35V 10A Surface Mount TO-263AB |
| Dióda konfiguráció: | 100µA @ 35V |
| Leírás: | DIODE SCHOTTKY 35V 10A TO263AB |
| Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr: | 850mV @ 20A |
| Aktuális - Átlagosan korrigált (Io) (diódánként): | 35V |
| Capacitance @ Vr, F: | -65°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az MBRB10H35-E3/45-hoz
Latest News
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be