Az LQH3NPN470NJ0L most elérhető!Az LYNTEAM technológia az LQH3NPN470NJ0L állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetLQH3NPN470NJ0Le-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon LQH3NPN470NJ0L LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
LQH3NPN470NJ0L
- Cikkszám:
- LQH3NPN470NJ0L
- Gyártó:
- Murata Electronics
- Leírás:
- FIXED IND 47UH 350MA 1.3 OHM SMD
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 59857 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| típus: | Wirewound |
| Tolerancia: | ±30% |
| Szállító eszközcsomag: | 1212 (3030 Metric) |
| Méret / dimenzió: | 0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm) |
| Árnyékolás: | Shielded |
| Sorozat: | LQH3 |
| Értékelések: | - |
| Q @ Freq: | - |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | 1212 (3030 Metric) |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 85°C |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Anyag - mag: | Ferrite |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Induktivitás Frekvencia - Teszt: | 1MHz |
| induktivitás: | 47µH |
| Magasság - Ülés (Max): | 0.047" (1.20mm) |
| Frekvencia - önrezonáns: | 15MHz |
| Részletes leírás: | 47µH Shielded Wirewound Inductor 350mA 1.56 Ohm Max 1212 (3030 Metric) |
| DC ellenállás (DCR): | 1.56 Ohm Max |
| Jelenlegi értékelés: | 350mA |
| Aktuális - telítettség: | 200mA |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az LQH3NPN470NJ0L-hoz
Latest News
- Az ARM megjelenik a Computex 2024 -ben: Várható, hogy 2025 végéig több mint 100 milliárd ARM -eszköz használható az AI -hez.
- A Qorvo elindította az iparág kiemelkedő, magas szintű 5G Mmimo előzetes előadását
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos