Az KMG35VB10RM5X11LL most elérhető!Az LYNTEAM technológia az KMG35VB10RM5X11LL állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetKMG35VB10RM5X11LLe-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon KMG35VB10RM5X11LL LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
KMG35VB10RM5X11LL
- Cikkszám:
- KMG35VB10RM5X11LL
- Gyártó:
- Nippon Chemi-Con
- Leírás:
- CAP ALUM 10UF 20% 35V RADIAL
- Ólommentes állapot:
- Ólom / RoHS nem megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 36000 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- KMG35VB10RM5X11LL.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - névleges: | 35V |
| Tolerancia: | ±20% |
| Felszíni földterület: | - |
| Méret / dimenzió: | 0.197" Dia (5.00mm) |
| Sorozat: | KMG |
| Értékelések: | - |
| Polarizáció: | Polar |
| Csomagolás: | Bulk |
| Csomagolás / tok: | Radial, Can |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 105°C |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Élettartam @ Hőm.: | 1000 Hrs @ 105°C |
| Ólomtartomány: | 0.079" (2.00mm) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Magasság - Ülés (Max): | 0.433" (11.00mm) |
| ESR (egyenértékű sorozat rezisztencia): | - |
| Részletes leírás: | 10µF 35V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C |
| Kapacitancia: | 10µF |
| Alkalmazások: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az KMG35VB10RM5X11LL-hoz
Latest News
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be