Az JAN2N7334 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az JAN2N7334 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetJAN2N7334e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon JAN2N7334 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
JAN2N7334
- Cikkszám:
- JAN2N7334
- Gyártó:
- Microsemi
- Leírás:
- MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
- Ólommentes állapot:
- Ólom / RoHS nem megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 59887 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- JAN2N7334.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Szállító eszközcsomag: | MO-036AB |
| Sorozat: | Military, MIL-PRF-19500/597 |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 700 mOhm @ 600mA, 10V |
| Teljesítmény - Max: | 1.4W |
| Csomagolás: | Bulk |
| Csomagolás / tok: | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Más nevek: | JAN2N7334-MIL |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 60nC @ 10V |
| FET típus: | 4 N-Channel |
| FET funkció: | Standard |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 100V |
| Részletes leírás: | Mosfet Array 4 N-Channel 100V 1A 1.4W Through Hole MO-036AB |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 1A |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az JAN2N7334-hoz
Latest News
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet