Az JAN2N3740 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az JAN2N3740 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetJAN2N3740e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon JAN2N3740 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
JAN2N3740
- Cikkszám:
- JAN2N3740
- Gyártó:
- Microsemi
- Leírás:
- TRANS PNP 60V 4A TO-66
- Ólommentes állapot:
- Ólom / RoHS nem megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 42102 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- JAN2N3740.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max): | 60V |
| Vce telítettség (Max) Ib, Ic: | 600mV @ 125mA, 1A |
| Tranzisztor típusú: | PNP |
| Szállító eszközcsomag: | TO-66 (TO-213AA) |
| Sorozat: | Military, MIL-PRF-19500/441 |
| Teljesítmény - Max: | 25W |
| Csomagolás: | Bulk |
| Csomagolás / tok: | TO-213AA, TO-66-2 |
| Más nevek: | 1086-20905 1086-20905-MIL |
| Üzemi hőmérséklet: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 22 Weeks |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Frekvencia - Átmenet: | - |
| Részletes leírás: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 4A 25W Through Hole TO-66 (TO-213AA) |
| DC áramerősség (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 30 @ 250mA, 1V |
| Aktuális - Collector Cutoff (Max): | 10µA |
| Áram - kollektor (Ic) (Max): | 4A |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az JAN2N3740-hoz
Latest News
- Az ARM megjelenik a Computex 2024 -ben: Várható, hogy 2025 végéig több mint 100 milliárd ARM -eszköz használható az AI -hez.
- A Qorvo elindította az iparág kiemelkedő, magas szintű 5G Mmimo előzetes előadását
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos