Az JAN2N2328S most elérhető!Az LYNTEAM technológia az JAN2N2328S állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetJAN2N2328Se-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon JAN2N2328S LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
JAN2N2328S
- Cikkszám:
- JAN2N2328S
- Gyártó:
- Microsemi
- Leírás:
- DIODE SILICON CTRL TO39
- Ólommentes állapot:
- Ólom / RoHS nem megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 54722 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- JAN2N2328S.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - kikapcsolt állapot: | 300V |
| Feszültség - Kapumozgató (Vgt) (Max): | 800mV |
| Szállító eszközcsomag: | TO-39 (TO-205AD) |
| Sorozat: | Military, MIL-PRF-19500/276 |
| SCR típus: | Sensitive Gate |
| Csomagolás: | Bulk |
| Csomagolás / tok: | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Más nevek: | 1086-20718 1086-20718-MIL |
| Üzemi hőmérséklet: | -65°C ~ 125°C |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Részletes leírás: | SCR 300V Sensitive Gate Through Hole TO-39 (TO-205AD) |
| Áram - Állapot (It (AV)) (Max): | 220mA |
| Aktuális - Nem Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): | - |
| Aktuális - Hold (Ih) (Max): | 2mA |
| Aktuális - Kapu trigger (Igt) (Max): | 200µA |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az JAN2N2328S-hoz
Latest News
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be