Az JAN1N6627US most elérhető!Az LYNTEAM technológia az JAN1N6627US állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetJAN1N6627USe-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon JAN1N6627US LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
JAN1N6627US
- Cikkszám:
- JAN1N6627US
- Gyártó:
- Microsemi
- Leírás:
- DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B
- Ólommentes állapot:
- Ólom / RoHS nem megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 39432 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- JAN1N6627US.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: | 1.35V @ 1.2A |
| Feszültség - DC Fordított (Vr) (Max): | 440V |
| Szállító eszközcsomag: | D-5B |
| Sebesség: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Sorozat: | Military, MIL-PRF-19500/590 |
| Hátralévő helyreállítási idő (trr): | 30ns |
| Csomagolás: | Bulk |
| Csomagolás / tok: | SQ-MELF, E |
| Más nevek: | 1086-2305 1086-2305-MIL |
| Működési hőmérséklet - csatlakozás: | -65°C ~ 150°C |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Diódatípus: | Standard |
| Részletes leírás: | Diode Standard 440V 1.75A Surface Mount D-5B |
| Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr: | 2µA @ 440V |
| Aktuális - Átlagosan korrigált (Io): | 1.75A |
| Capacitance @ Vr, F: | 40pF @ 10V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az JAN1N6627US-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N6628U | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF | Vizsgálat |
|
JAN1N6631 | Microsemi | DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL | Vizsgálat |
 |
JAN1N6629US | Microsemi | DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B | Vizsgálat |
|
JAN1N6630 | Microsemi | DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL | Vizsgálat |
|
JAN1N6628 | Microsemi | DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL | Vizsgálat |
|
JAN1N6626US | Microsemi | DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B | Vizsgálat |
|
JAN1N6630US | Microsemi | DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF | Vizsgálat |
|
JAN1N6626U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF | Vizsgálat |
|
JAN1N6627 | Microsemi | DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL | Vizsgálat |
|
JAN1N6625U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF | Vizsgálat |
|
JAN1N6629U | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 1.4A E-MELF | Vizsgálat |
|
JAN1N6628US | Microsemi | DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B | Vizsgálat |
|
JAN1N6627U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF | Vizsgálat |
|
JAN1N6626 | Microsemi | DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL | Vizsgálat |
|
JAN1N6625US | Microsemi | DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A | Vizsgálat |
|
JAN1N6629 | Microsemi | DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL | Vizsgálat |
|
JAN1N6630U | Microsemi | DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF | Vizsgálat |
|
JAN1N6625 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL | Vizsgálat |
|
JAN1N6624US | Microsemi | DIODE GEN PURP 990V 1A D5A | Vizsgálat |
|
JAN1N6624U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 900V 1A A-MELF | Vizsgálat |
Latest News
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult