Az IXZ-2510 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az IXZ-2510 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetIXZ-2510e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon IXZ-2510 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
IXZ-2510
- Cikkszám:
- IXZ-2510
- Gyártó:
- InvenSense
- Leírás:
- MEMS GYROSCOPE 2-AXIS 16QFN
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 57124 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- IXZ-2510.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültségellátás: | 1.71 V ~ 3.6 V |
| típus: | Digital |
| Sorozat: | - |
| Érzékenység (mV / ° / s): | - |
| Érzékenység (LSB / (° / s)): | 16.4 ~ 131 |
| Tartomány ° / másodperc: | ±250, 500, 1000, 2000 |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | 16-VFQFN Exposed Pad |
| Kimeneti típus: | I²C, SPI |
| Más nevek: | 1428-1025-2 |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Jellemzők: | Adjustable Bandwidth, Selectable Scale, Sleep Mode, Temperature Sensor |
| Részletes leírás: | Gyroscope X (Pitch), Z (Yaw) ±250, 500, 1000, 2000 250Hz ~ 3.6kHz I²C, SPI 16-QFN (3x3) |
| Jelenlegi - ellátás: | 2.8mA |
| Sávszélesség: | 250Hz ~ 3.6kHz |
| Tengely: | X (Pitch), Z (Yaw) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az IXZ-2510-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
IXZR16N60 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | Vizsgálat |
|
IXZR08N120 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | Vizsgálat |
 |
ADIS16305AMLZ | ADI (Analog Devices, Inc.) | MODULE GYRO W/CONN | Vizsgálat |
 |
IXZ308N120 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL DE375 | Vizsgálat |
|
IXZ210N50L2 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL DE275 | Vizsgálat |
 |
LPR4150AL | STMicroelectronics | GYRO 1500DEG/S 0.67MV 28LGA | Vizsgálat |
 |
IXZH10N50L2B | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL TO-247 | Vizsgálat |
 |
IXZ210N50L | IXYS Corporation | N-CHANNEL RF MOSFET 175MH | Vizsgálat |
|
IXZR18N50 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | Vizsgálat |
|
IXZR08N120B-00 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | Vizsgálat |
 |
ADIS16265BCCZ | ADI (Analog Devices, Inc.) | IC SENSOR GYRO PROGR 10MV 20LGA | Vizsgálat |
|
IXZR18N50B-00 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | Vizsgálat |
|
IXZ318N50 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL | Vizsgálat |
 |
IXZ631DF18N50 | IXYS RF | 500V 18A INTEGRATED POWER MOSFET | Vizsgálat |
|
IXZH10N50L2A | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL TO-247 | Vizsgálat |
|
IXZ316N60 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL DE375 | Vizsgálat |
|
IXZR08N120A-00 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | Vizsgálat |
 |
IXZ631DF12N100 | IXYS RF | IXZ631DF12N100 1000V 12A INTEGRA | Vizsgálat |
|
IXZR18N50A-00 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | Vizsgálat |
 |
IXZ2210N50L2 | IXYS RF | RF MOSFET 2 N-CHANNEL DE275 | Vizsgálat |
Latest News
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- Helyi érett chipmennyiség, Samsung Nand flash memória előállítási kapacitása a terhelés közelében