Az IXDI614SITR most elérhető!Az LYNTEAM technológia az IXDI614SITR állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetIXDI614SITRe-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon IXDI614SITR LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
IXDI614SITR
- Cikkszám:
- IXDI614SITR
- Leírás:
- 14A 8LEAD SOIC EXP MTL INVERTING
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 57781 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- IXDI614SITR.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültségellátás: | 4.5 V ~ 35 V |
| Szállító eszközcsomag: | 8-SOIC-EP |
| Sorozat: | - |
| Rise / Fall Time (Typ): | 25ns, 18ns |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| A járművezetők száma: | 1 |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 7 Weeks |
| Logikai feszültség - VIL, VIH: | 0.8V, 3V |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Bemeneti típus: | Inverting |
| Kaputípus: | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Driven konfiguráció: | Low-Side |
| Részletes leírás: | Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC-EP |
| Aktuális - csúcskimenet (forrás, mosogató): | 14A, 14A |
| Csatorna típus: | Single |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az IXDI614SITR-hoz
Latest News
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be