Az IRLML2060TRPBF most elérhető!Az LYNTEAM technológia az IRLML2060TRPBF állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetIRLML2060TRPBFe-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon IRLML2060TRPBF LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
IRLML2060TRPBF
- Cikkszám:
- IRLML2060TRPBF
- Leírás:
- MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 21288 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- IRLML2060TRPBF.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 25µA |
| Vgs (Max): | ±16V |
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | Micro3™/SOT-23 |
| Sorozat: | HEXFET® |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 480 mOhm @ 1.2A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 1.25W (Ta) |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Más nevek: | IRLML2060TRPBFTR SP001578644 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 64pF @ 25V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 0.67nC @ 4.5V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 4.5V, 10V |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 60V |
| Részletes leírás: | N-Channel 60V 1.2A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 1.2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az IRLML2060TRPBF-hoz
Latest News
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be