Az IRG4IBC30FD most elérhető!Az LYNTEAM technológia az IRG4IBC30FD állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetIRG4IBC30FDe-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon IRG4IBC30FD LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
IRG4IBC30FD
- Cikkszám:
- IRG4IBC30FD
- Leírás:
- IGBT 600V 20.3A 45W TO220FP
- Ólommentes állapot:
- Ólom / RoHS nem megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 55327 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- IRG4IBC30FD.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max): | 600V |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: | 1.8V @ 15V, 17A |
| Teszt állapot: | 480V, 17A, 23 Ohm, 15V |
| Td (be / ki) @ 25 ° C: | 42ns/230ns |
| Energiaváltás: | 630µJ (on), 1.39mJ (off) |
| Szállító eszközcsomag: | TO-220AB Full-Pak |
| Sorozat: | - |
| Hátralévő helyreállítási idő (trr): | 42ns |
| Teljesítmény - Max: | 45W |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | TO-220-3 Full Pack |
| Más nevek: | *IRG4IBC30FD |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Bemeneti típus: | Standard |
| IGBT típus: | - |
| Gate Charge: | 51nC |
| Részletes leírás: | IGBT 600V 20.3A 45W Through Hole TO-220AB Full-Pak |
| Jelenlegi - kollektoros impulzusos (Icm): | 120A |
| Áram - kollektor (Ic) (Max): | 20.3A |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az IRG4IBC30FD-hoz
Latest News
- A Qorvo elindította az iparág kiemelkedő, magas szintű 5G Mmimo előzetes előadását
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára