Az IRFD120PBF most elérhető!Az LYNTEAM technológia az IRFD120PBF állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetIRFD120PBFe-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon IRFD120PBF LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
IRFD120PBF
- Cikkszám:
- IRFD120PBF
- Gyártó:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Leírás:
- MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 32890 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- IRFD120PBF.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Sorozat: | - |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 270 mOhm @ 780mA, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 1.3W (Ta) |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Más nevek: | *IRFD120PBF |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 16 Weeks |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 360pF @ 25V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 16nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 10V |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 100V |
| Részletes leírás: | N-Channel 100V 1.3A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 1.3A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az IRFD120PBF-hoz
Latest News
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be