Az IPG20N10S4L22AATMA1 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az IPG20N10S4L22AATMA1 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetIPG20N10S4L22AATMA1e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon IPG20N10S4L22AATMA1 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
IPG20N10S4L22AATMA1
- Cikkszám:
- IPG20N10S4L22AATMA1
- Leírás:
- MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 59163 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- IPG20N10S4L22AATMA1.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.1V @ 25µA |
| Szállító eszközcsomag: | PG-TDSON-8-10 |
| Sorozat: | OptiMOS™ |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 22 mOhm @ 17A, 10V |
| Teljesítmény - Max: | 60W |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | 8-PowerVDFN |
| Más nevek: | IPG20N10S4L22AATMA1TR SP001091984 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 1755pF @ 25V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 27nC @ 10V |
| FET típus: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET funkció: | Logic Level Gate |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 100V |
| Részletes leírás: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 20A 60W Surface Mount PG-TDSON-8-10 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 20A |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az IPG20N10S4L22AATMA1-hoz
Latest News
- Az ARM megjelenik a Computex 2024 -ben: Várható, hogy 2025 végéig több mint 100 milliárd ARM -eszköz használható az AI -hez.
- A Qorvo elindította az iparág kiemelkedő, magas szintű 5G Mmimo előzetes előadását
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos