Az IMS02BH1R8K most elérhető!Az LYNTEAM technológia az IMS02BH1R8K állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetIMS02BH1R8Ke-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon IMS02BH1R8K LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
IMS02BH1R8K
- Cikkszám:
- IMS02BH1R8K
- Gyártó:
- Dale / Vishay
- Leírás:
- IMS-2 1.8 10% B08
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 45916 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- IMS02BH1R8K.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| típus: | Molded |
| Tolerancia: | ±10% |
| Szállító eszközcsomag: | Axial |
| Méret / dimenzió: | 0.095" Dia x 0.250" L (2.41mm x 6.35mm) |
| Árnyékolás: | Shielded |
| Sorozat: | IMS-2 |
| Értékelések: | - |
| Q @ Freq: | 43 @ 7.9MHz |
| Csomagolás: | - |
| Csomagolás / tok: | Axial |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 105°C |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Anyag - mag: | Iron |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Induktivitás Frekvencia - Teszt: | 7.9MHz |
| induktivitás: | 1.8µH |
| Magasság - Ülés (Max): | - |
| Frekvencia - önrezonáns: | 105MHz |
| Jellemzők: | - |
| Részletes leírás: | 1.8µH Shielded Molded Inductor 217mA 950 mOhm Max Axial |
| DC ellenállás (DCR): | 950 mOhm Max |
| Jelenlegi értékelés: | 217mA |
| Aktuális - telítettség: | - |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az IMS02BH1R8K-hoz
Latest News
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be