Az IM02ER2R7J most elérhető!Az LYNTEAM technológia az IM02ER2R7J állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetIM02ER2R7Je-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon IM02ER2R7J LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
IM02ER2R7J
- Cikkszám:
- IM02ER2R7J
- Gyártó:
- Dale / Vishay
- Leírás:
- IM-2 2.7 5% ER E2
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 39160 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- IM02ER2R7J.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| típus: | Molded |
| Tolerancia: | ±5% |
| Szállító eszközcsomag: | Axial |
| Méret / dimenzió: | 0.095" Dia x 0.250" L (2.42mm x 6.35mm) |
| Árnyékolás: | Unshielded |
| Sorozat: | IM |
| Értékelések: | - |
| Q @ Freq: | 37 @ 7.9MHz |
| Csomagolás: | - |
| Csomagolás / tok: | Axial |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 105°C |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Anyag - mag: | Iron |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Induktivitás Frekvencia - Teszt: | 7.9MHz |
| induktivitás: | 2.7µH |
| Magasság - Ülés (Max): | - |
| Frekvencia - önrezonáns: | 100MHz |
| Jellemzők: | - |
| Részletes leírás: | 2.7µH Unshielded Molded Inductor 355mA 550 mOhm Max Axial |
| DC ellenállás (DCR): | 550 mOhm Max |
| Jelenlegi értékelés: | 355mA |
| Aktuális - telítettség: | - |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az IM02ER2R7J-hoz
Latest News
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be