Az IFS100B12N3E4B31BOSA1 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az IFS100B12N3E4B31BOSA1 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetIFS100B12N3E4B31BOSA1e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon IFS100B12N3E4B31BOSA1 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
IFS100B12N3E4B31BOSA1
- Cikkszám:
- IFS100B12N3E4B31BOSA1
- Leírás:
- MOD IGBT LOW PWR ECONO
- Ólommentes állapot:
- Ólom / RoHS megfelel
- Készlet mennyiség:
- 24855 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- IFS100B12N3E4B31BOSA1.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max): | 1200V |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: | 2.1V @ 15V, 100A |
| Szállító eszközcsomag: | Module |
| Sorozat: | - |
| Teljesítmény - Max: | 515W |
| Csomagolás / tok: | Module |
| Más nevek: | IFS100B12N3E4_B31 SP000643756 |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 150°C |
| NTC termisztor: | Yes |
| Szerelési típus: | Chassis Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 48 Weeks |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Contains lead / RoHS Compliant |
| Bemeneti kapacitás (Cies) @ Vce: | 6.3nF @ 25V |
| Bemenet: | Standard |
| IGBT típus: | Trench Field Stop |
| Részletes leírás: | IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge 1200V 200A 515W Chassis Mount Module |
| Aktuális - Collector Cutoff (Max): | 1mA |
| Áram - kollektor (Ic) (Max): | 200A |
| Configuration: | Full Bridge |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az IFS100B12N3E4B31BOSA1-hoz
Latest News
- Az ARM megjelenik a Computex 2024 -ben: Várható, hogy 2025 végéig több mint 100 milliárd ARM -eszköz használható az AI -hez.
- A Qorvo elindította az iparág kiemelkedő, magas szintű 5G Mmimo előzetes előadását
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos