Az IDW20G65C5BXKSA1 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az IDW20G65C5BXKSA1 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetIDW20G65C5BXKSA1e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon IDW20G65C5BXKSA1 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
IDW20G65C5BXKSA1
- Cikkszám:
- IDW20G65C5BXKSA1
- Leírás:
- DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO247-3
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 30942 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- IDW20G65C5BXKSA1.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: | 1.7V @ 10A |
| Feszültség - DC Fordított (Vr) (Max): | 650V |
| Szállító eszközcsomag: | PG-TO247-3 |
| Sebesség: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Sorozat: | CoolSiC™ |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | TO-247-3 |
| Más nevek: | SP001224934 |
| Működési hőmérséklet - csatlakozás: | -55°C ~ 175°C |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diódatípus: | Silicon Carbide Schottky |
| Dióda konfiguráció: | 1 Pair Common Cathode |
| Részletes leírás: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 650V 10A (DC) Through Hole TO-247-3 |
| Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr: | 180µA @ 650V |
| Aktuális - Átlagosan korrigált (Io) (diódánként): | 10A (DC) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az IDW20G65C5BXKSA1-hoz
Latest News
- Az ARM megjelenik a Computex 2024 -ben: Várható, hogy 2025 végéig több mint 100 milliárd ARM -eszköz használható az AI -hez.
- A Qorvo elindította az iparág kiemelkedő, magas szintű 5G Mmimo előzetes előadását
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos