Az HEC4023BT,112 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az HEC4023BT,112 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetHEC4023BT,112e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon HEC4023BT,112 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
HEC4023BT,112
- Cikkszám:
- HEC4023BT,112
- Leírás:
- IC GATE NAND 3CH 3-INP 14SO
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 49362 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- HEC4023BT,112.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültségellátás: | 3 V ~ 15 V |
| Szállító eszközcsomag: | 14-SO |
| Sorozat: | 4000B |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Más nevek: | 935209330112 HEC4023BT HEC4023BT-ND |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 125°C |
| Bemenetek száma: | 3 |
| Az áramkörök száma: | 3 |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Max Propagation Delay @ V, Max CL: | 30ns @ 15V, 50pF |
| Logikai típus: | NAND Gate |
| Logikai szint - alacsony: | 1.5 V ~ 4 V |
| Logikai szint - magas: | 3.5 V ~ 11 V |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Jellemzők: | - |
| Részletes leírás: | NAND Gate IC 3 Channel 14-SO |
| Aktuális - Leszúrás (Max): | 4µA |
| Aktuális - Kimenet magas, alacsony: | 3.4mA, 3.4mA |
| Alap rész száma: | 4023 |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az HEC4023BT,112-hoz
Latest News
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be