Az HE3C822M080BZSS most elérhető!Az LYNTEAM technológia az HE3C822M080BZSS állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetHE3C822M080BZSSe-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon HE3C822M080BZSS LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
HE3C822M080BZSS
- Cikkszám:
- HE3C822M080BZSS
- Gyártó:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Leírás:
- CAP TANT 8200UF 80V 20% RADIAL
- Ólommentes állapot:
- Ólom / RoHS nem megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 42202 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- HE3C822M080BZSS.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - névleges: | 80V |
| típus: | Hermetically Sealed |
| Tolerancia: | ±20% |
| Méret / dimenzió: | 1.400" Dia (35.56mm) |
| Sorozat: | HE3 |
| Csomagolás: | Bulk |
| Csomagolás / tok: | Radial |
| Más nevek: | 718-1677 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 125°C |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Gyártói méretkód: | C |
| Élettartam @ Hőm.: | - |
| Ólomtartomány: | 0.402" (10.20mm) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Magasság - Ülés (Max): | 0.630" (16.00mm) |
| Jellemzők: | Wet Tantalum |
| Hibázási ráta: | - |
| ESR (egyenértékű sorozat rezisztencia): | 40 mOhm |
| Részletes leírás: | 8200µF Hermetically Sealed Tantalum Capacitors 80V Radial 40 mOhm |
| Kapacitancia: | 8200µF |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az HE3C822M080BZSS-hoz
Latest News
- Az ARM megjelenik a Computex 2024 -ben: Várható, hogy 2025 végéig több mint 100 milliárd ARM -eszköz használható az AI -hez.
- A Qorvo elindította az iparág kiemelkedő, magas szintű 5G Mmimo előzetes előadását
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos