Az H11B1SR2VM most elérhető!Az LYNTEAM technológia az H11B1SR2VM állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetH11B1SR2VMe-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon H11B1SR2VM LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
H11B1SR2VM
- Cikkszám:
- H11B1SR2VM
- Leírás:
- OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 44925 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- H11B1SR2VM.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - kimenet (max.): | 30V |
| Feszültség - Izolálás: | 4170Vrms |
| Feszültség - Forward (Vf) (Typ): | 1.2V |
| Vce telítettség (Max): | 1V |
| Bekapcsolási / kikapcsolási idő (Typ): | 25µs, 18µs |
| Szállító eszközcsomag: | 6-SMD |
| Sorozat: | - |
| Rise / Fall Time (Typ): | - |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | 6-SMD, Gull Wing |
| Kimeneti típus: | Darlington with Base |
| Más nevek: | H11B1SR2VMTR |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 100°C |
| Csatornák száma: | 1 |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 9 Weeks |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Bemeneti típus: | DC |
| Részletes leírás: | Optoisolator Darlington with Base Output 4170Vrms 1 Channel 6-SMD |
| Aktuális átviteli arány (perc): | 500% @ 1mA |
| Aktuális átviteli arány (max.): | - |
| Áram - kimenet / csatorna: | 150mA |
| Áram - DC Forward (Ha) (Max): | 80mA |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az H11B1SR2VM-hoz
Latest News
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- Helyi érett chipmennyiség, Samsung Nand flash memória előállítási kapacitása a terhelés közelében