Az GW13J50K0E most elérhető!Az LYNTEAM technológia az GW13J50K0E állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetGW13J50K0Ee-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon GW13J50K0E LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
GW13J50K0E
- Cikkszám:
- GW13J50K0E
- Gyártó:
- Ohmite
- Leírás:
- RES CAP BLEEDER 50K OHM 5% 13W
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 58479 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- GW13J50K0E.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| típus: | Bleeder, Capacitor |
| Tolerancia: | ±5% |
| Hőmérsékleti együttható: | ±100ppm/°C |
| Sorozat: | G |
| Ellenállás: | 50 kOhms |
| Teljesítmény (Watt): | 13W |
| Csomagolás: | Bulk |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 200°C |
| Szerelési típus: | Capacitor, 31.8mm Pitch |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 15 Weeks |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Részletes leírás: | 50 kOhms ±5% 13W Bleeder, Capacitor Specialized Resistor Wirewound ±100ppm/°C Capacitor, 31.8mm Pitch |
| Összetétel: | Wirewound |
| Alkalmazások: | Capacitor Discharge |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az GW13J50K0E-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
GW13J25K0E | Ohmite | RES CAP BLEEDER 25K OHM 5% 13W | Vizsgálat |
 |
GW13J20K0E | Ohmite | RES CAP BLEEDER 20K OHM 5% 13W | Vizsgálat |
 |
GW13J7K50E | Ohmite | RES CAP BLEEDER 7.5K OHM 5% 13W | Vizsgálat |
 |
GW10J40K0E | Ohmite | RES CAP BLEEDER 40K OHM 5% 10W | Vizsgálat |
 |
GW13J10K0E | Ohmite | RES CAP BLEEDER 10K OHM 5% 13W | Vizsgálat |
 |
GW13J2K50E | Ohmite | RES CAP BLEEDER 2.5K OHM 5% 13W | Vizsgálat |
 |
GW13J5K00E | Ohmite | RES CAP BLEEDER 5K OHM 5% 13W | Vizsgálat |
 |
GW13J40K0E | Ohmite | RES CAP BLEEDER 40K OHM 5% 13W | Vizsgálat |
|
GW13J1K00E | Ohmite | RES CAP BLEEDER 1K OHM 5% 13W | Vizsgálat |
 |
GW10J2K50E | Ohmite | RES CAP BLEEDER 2.5K OHM 5% 10W | Vizsgálat |
 |
GW10J75K0E | Ohmite | RES CAP BLEEDER 75K OHM 5% 10W | Vizsgálat |
 |
GW13J15K0E | Ohmite | RES CAP BLEEDER 15K OHM 5% 13W | Vizsgálat |
 |
GW13J75K0E | Ohmite | RES CAP BLEEDER 75K OHM 5% 13W | Vizsgálat |
 |
GW10J25K0E | Ohmite | RES CAP BLEEDER 25K OHM 5% 10W | Vizsgálat |
 |
GW10J5K00E | Ohmite | RES CAP BLEEDER 5K OHM 5% 10W | Vizsgálat |
|
GW10J50K0E | Ohmite | RES CAP BLEEDER 50K OHM 5% 10W | Vizsgálat |
|
GW10J7K50E | Ohmite | RES CAP BLEEDER 7.5K OHM 5% 10W | Vizsgálat |
|
GW10J1K00E | Ohmite | RES CAP BLEEDER 1K OHM 5% 10W | Vizsgálat |
 |
GW10J15K0E | Ohmite | RES CAP BLEEDER 15K OHM 5% 10W | Vizsgálat |
 |
GW10J20K0E | Ohmite | RES CAP BLEEDER 20K OHM 5% 10W | Vizsgálat |
Latest News
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- Helyi érett chipmennyiség, Samsung Nand flash memória előállítási kapacitása a terhelés közelében