Az GRM31M7U2A242JZ01L most elérhető!Az LYNTEAM technológia az GRM31M7U2A242JZ01L állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetGRM31M7U2A242JZ01Le-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon GRM31M7U2A242JZ01L LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
GRM31M7U2A242JZ01L
- Cikkszám:
- GRM31M7U2A242JZ01L
- Gyártó:
- Murata Electronics
- Leírás:
- CAP CER 2400PF 100V U2J 1206
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 48047 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - névleges: | 100V |
| Tolerancia: | ±5% |
| Vastagság (Max): | 0.049" (1.25mm) |
| Hőmérsékleti együttható: | U2J |
| Méret / dimenzió: | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
| Sorozat: | GRM |
| Értékelések: | - |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | 1206 (3216 Metric) |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 125°C |
| Szerelési típus: | Surface Mount, MLCC |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lead Stílus: | - |
| Ólomtartomány: | - |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Magasság - Ülés (Max): | - |
| Jellemzők: | - |
| Részletes leírás: | 2400pF ±5% 100V Ceramic Capacitor U2J 1206 (3216 Metric) |
| Kapacitancia: | 2400pF |
| Alkalmazások: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az GRM31M7U2A242JZ01L-hoz
Latest News
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be