Az GA05JT03-46 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az GA05JT03-46 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetGA05JT03-46e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon GA05JT03-46 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
GA05JT03-46
- Cikkszám:
- GA05JT03-46
- Gyártó:
- GeneSiC Semiconductor
- Leírás:
- TRANS SJT 300V 9A
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 30336 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- GA05JT03-46.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | - |
| Vgs (Max): | - |
| Technológia: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Szállító eszközcsomag: | TO-46 |
| Sorozat: | - |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 240 mOhm @ 5A |
| Teljesítményleadás (Max): | 20W (Tc) |
| Csomagolás: | Bulk |
| Csomagolás / tok: | TO-46-3 |
| Más nevek: | 1242-1252 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 18 Weeks |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| FET típus: | - |
| FET funkció: | - |
| Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | - |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 300V |
| Részletes leírás: | 300V 9A (Tc) 20W (Tc) Through Hole TO-46 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az GA05JT03-46-hoz
Latest News
- Az ARM megjelenik a Computex 2024 -ben: Várható, hogy 2025 végéig több mint 100 milliárd ARM -eszköz használható az AI -hez.
- A Qorvo elindította az iparág kiemelkedő, magas szintű 5G Mmimo előzetes előadását
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos