Az GA0402A120GXBAP31G most elérhető!Az LYNTEAM technológia az GA0402A120GXBAP31G állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetGA0402A120GXBAP31Ge-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon GA0402A120GXBAP31G LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
GA0402A120GXBAP31G
- Cikkszám:
- GA0402A120GXBAP31G
- Gyártó:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Leírás:
- CAP CER 12PF 100V C0G/NP0 0402
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 37432 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- GA0402A120GXBAP31G.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - névleges: | 100V |
| Tolerancia: | ±2% |
| Vastagság (Max): | 0.024" (0.60mm) |
| Hőmérsékleti együttható: | C0G, NP0 |
| Méret / dimenzió: | 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) |
| Sorozat: | GA |
| Értékelések: | AEC-Q200 |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | 0402 (1005 Metric) |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C |
| Szerelési típus: | Surface Mount, MLCC |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lead Stílus: | - |
| Ólomtartomány: | - |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Magasság - Ülés (Max): | - |
| Jellemzők: | - |
| Hibázási ráta: | - |
| Részletes leírás: | 12pF ±2% 100V Ceramic Capacitor C0G, NP0 0402 (1005 Metric) |
| Kapacitancia: | 12pF |
| Alkalmazások: | Automotive |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az GA0402A120GXBAP31G-hoz
Latest News
- Az ARM megjelenik a Computex 2024 -ben: Várható, hogy 2025 végéig több mint 100 milliárd ARM -eszköz használható az AI -hez.
- A Qorvo elindította az iparág kiemelkedő, magas szintű 5G Mmimo előzetes előadását
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos