FQD6N60CTM-WS
Cikkszám:
FQD6N60CTM-WS
Gyártó:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Leírás:
MOSFET N-CH 600V DPAK
Ólommentes állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
Készlet mennyiség:
41589 Pieces
Szállítási idő:
1-2 days
Vezetői idő:
4-8 weeks
Adatlap:
FQD6N60CTM-WS.pdf

Bevezetés

Az FQD6N60CTM-WS most elérhető!Az LYNTEAM technológia az FQD6N60CTM-WS állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetFQD6N60CTM-WSe-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon FQD6N60CTM-WS LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]

Műszaki adatok

Feltétel New & Original, tested
Származási ország Contact us
Jelölési kód Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:D-Pak
Sorozat:QFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:2 Ohm @ 2A, 10V
Teljesítményleadás (Max):80W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Más nevek:FQD6N60CTM_WS
FQD6N60CTM_WS-ND
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Ólommentes állapot / RoHS állapot:Lead free / RoHS Compliant
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:810pF @ 25V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):600V
Részletes leírás:N-Channel 600V 4A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount D-Pak
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások