Az FP50R06W2E3BOMA1 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az FP50R06W2E3BOMA1 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetFP50R06W2E3BOMA1e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon FP50R06W2E3BOMA1 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
FP50R06W2E3BOMA1
- Cikkszám:
- FP50R06W2E3BOMA1
- Leírás:
- IGBT MODULE 600V 450A
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 24328 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- FP50R06W2E3BOMA1.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max): | 600V |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: | 1.9V @ 15V, 50A |
| Szállító eszközcsomag: | Module |
| Sorozat: | - |
| Teljesítmény - Max: | 175W |
| Csomagolás / tok: | Module |
| Más nevek: | FP50R06W2E3 FP50R06W2E3-ND SP000375909 |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| NTC termisztor: | Yes |
| Szerelési típus: | Chassis Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Bemeneti kapacitás (Cies) @ Vce: | 3.1nF @ 25V |
| Bemenet: | Standard |
| IGBT típus: | Trench Field Stop |
| Részletes leírás: | IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 600V 65A 175W Chassis Mount Module |
| Aktuális - Collector Cutoff (Max): | 1mA |
| Áram - kollektor (Ic) (Max): | 65A |
| Configuration: | Three Phase Inverter |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az FP50R06W2E3BOMA1-hoz
Latest News
- Az ARM megjelenik a Computex 2024 -ben: Várható, hogy 2025 végéig több mint 100 milliárd ARM -eszköz használható az AI -hez.
- A Qorvo elindította az iparág kiemelkedő, magas szintű 5G Mmimo előzetes előadását
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos