Az FJN3311RTA most elérhető!Az LYNTEAM technológia az FJN3311RTA állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetFJN3311RTAe-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon FJN3311RTA LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
FJN3311RTA
- Cikkszám:
- FJN3311RTA
- Leírás:
- TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 34647 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- FJN3311RTA.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max): | 40V |
| Vce telítettség (Max) Ib, Ic: | 300mV @ 1mA, 10mA |
| Tranzisztor típusú: | NPN - Pre-Biased |
| Szállító eszközcsomag: | TO-92-3 |
| Sorozat: | - |
| Ellenállás - alap (R1): | 22 kOhms |
| Teljesítmény - Max: | 300mW |
| Csomagolás: | Tape & Box (TB) |
| Csomagolás / tok: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frekvencia - Átmenet: | 250MHz |
| Részletes leírás: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92-3 |
| DC áramerősség (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 100 @ 1mA, 5V |
| Aktuális - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Áram - kollektor (Ic) (Max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az FJN3311RTA-hoz
Latest News
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- Helyi érett chipmennyiség, Samsung Nand flash memória előállítási kapacitása a terhelés közelében