Az FGP50D-E3/54 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az FGP50D-E3/54 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetFGP50D-E3/54e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon FGP50D-E3/54 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
FGP50D-E3/54
- Cikkszám:
- FGP50D-E3/54
- Gyártó:
- Leírás:
- DIODE GEN PURP 200V 5A GP20
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 42753 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- FGP50D-E3/54.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - Peak Reverse (Max): | Standard |
| Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: | 5A |
| Feszültségelosztás: | GP20 |
| Sorozat: | SUPERECTIFIER® |
| RoHS állapot: | Tape & Reel (TR) |
| Hátralévő helyreállítási idő (trr): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Ellenállás @ If, F: | 100pF @ 4V, 1MHz |
| Polarizáció: | DO-201AA, DO-27, Axial |
| Más nevek: | FGP50D-E3/54-ND FGP50D-E3/54GITR FGP50DE354 |
| Működési hőmérséklet - csatlakozás: | 35ns |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Gyártási szám: | FGP50D-E3/54 |
| Bővített leírás: | Diode Standard 200V 5A Through Hole GP20 |
| Dióda konfiguráció: | 5µA @ 200V |
| Leírás: | DIODE GEN PURP 200V 5A GP20 |
| Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr: | 950mV @ 5A |
| Aktuális - Átlagosan korrigált (Io) (diódánként): | 200V |
| Capacitance @ Vr, F: | -65°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az FGP50D-E3/54-hoz
Latest News
- Az ARM megjelenik a Computex 2024 -ben: Várható, hogy 2025 végéig több mint 100 milliárd ARM -eszköz használható az AI -hez.
- A Qorvo elindította az iparág kiemelkedő, magas szintű 5G Mmimo előzetes előadását
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos