Az FF300R12KS4PHOSA1 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az FF300R12KS4PHOSA1 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetFF300R12KS4PHOSA1e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon FF300R12KS4PHOSA1 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
FF300R12KS4PHOSA1
- Cikkszám:
- FF300R12KS4PHOSA1
- Leírás:
- MOD IGBT MED PWR 62MM-1
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 46068 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- FF300R12KS4PHOSA1.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max): | 1200V |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: | 3.75V @ 15V, 300A |
| Szállító eszközcsomag: | Module |
| Sorozat: | C |
| Csomagolás / tok: | Module |
| Más nevek: | FF300R12KS4P SP001056224 |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 125°C |
| NTC termisztor: | No |
| Szerelési típus: | Chassis Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Bemeneti kapacitás (Cies) @ Vce: | 20nF @ 25V |
| Bemenet: | Standard |
| IGBT típus: | - |
| Részletes leírás: | IGBT Module Half Bridge Inverter 1200V 300A Chassis Mount Module |
| Aktuális - Collector Cutoff (Max): | 5mA |
| Áram - kollektor (Ic) (Max): | 300A |
| Configuration: | Half Bridge Inverter |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az FF300R12KS4PHOSA1-hoz
Latest News
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be