Az FEP30DP-E3/45 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az FEP30DP-E3/45 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetFEP30DP-E3/45e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon FEP30DP-E3/45 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
FEP30DP-E3/45
- Cikkszám:
- FEP30DP-E3/45
- Gyártó:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Leírás:
- DIODE ARRAY GP 200V 30A TO3P
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 50748 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- FEP30DP-E3/45.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: | 950mV @ 15A |
| Feszültség - DC Fordított (Vr) (Max): | 200V |
| Szállító eszközcsomag: | TO-3P |
| Sebesség: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Sorozat: | - |
| Hátralévő helyreállítási idő (trr): | 35ns |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Más nevek: | FEP30DP FEP30DP-E3/45-ND FEP30DP-E3/45GI FEP30DP-ND FEP30DP/45 FEP30DP/45-ND FEP30DPE345 |
| Működési hőmérséklet - csatlakozás: | -55°C ~ 150°C |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 53 Weeks |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diódatípus: | Standard |
| Dióda konfiguráció: | 1 Pair Common Cathode |
| Részletes leírás: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200V 15A Through Hole TO-3P-3, SC-65-3 |
| Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr: | 10µA @ 200V |
| Aktuális - Átlagosan korrigált (Io) (diódánként): | 15A |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az FEP30DP-E3/45-hoz
Latest News
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult