Az FDSD0512-H-K2R2M=P3 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az FDSD0512-H-K2R2M=P3 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetFDSD0512-H-K2R2M=P3e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon FDSD0512-H-K2R2M=P3 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
FDSD0512-H-K2R2M=P3
- Cikkszám:
- FDSD0512-H-K2R2M=P3
- Gyártó:
- Murata Electronics
- Leírás:
- FIXED IND 2.2UH 3.2A 68 MOHM SMD
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 38991 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- FDSD0512-H-K2R2M=P3.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| típus: | Wirewound |
| Tolerancia: | ±20% |
| Szállító eszközcsomag: | - |
| Méret / dimenzió: | 0.205" L x 0.193" W (5.20mm x 4.90mm) |
| Árnyékolás: | Shielded |
| Sorozat: | FDSD0512 |
| Értékelések: | - |
| Q @ Freq: | - |
| Csomagolás: | Cut Tape (CT) |
| Csomagolás / tok: | Nonstandard |
| Más nevek: | 490-10870-1 |
| Üzemi hőmérséklet: | - |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Anyag - mag: | Metal |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 13 Weeks |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Induktivitás Frekvencia - Teszt: | 100kHz |
| induktivitás: | 2.2µH |
| Magasság - Ülés (Max): | 0.047" (1.20mm) |
| Frekvencia - önrezonáns: | - |
| Részletes leírás: | 2.2µH Shielded Wirewound Inductor 3.2A 68 mOhm Max Nonstandard |
| DC ellenállás (DCR): | 68 mOhm Max |
| Jelenlegi értékelés: | 3.2A |
| Aktuális - telítettség: | 4.2A |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az FDSD0512-H-K2R2M=P3-hoz
Latest News
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be