Az F4150R17ME4B11BPSA1 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az F4150R17ME4B11BPSA1 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetF4150R17ME4B11BPSA1e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon F4150R17ME4B11BPSA1 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
F4150R17ME4B11BPSA1
- Cikkszám:
- F4150R17ME4B11BPSA1
- Leírás:
- MOD IGBT MED POWER ECONO-6
- Ólommentes állapot:
- Ólom / RoHS megfelel
- Készlet mennyiség:
- 49303 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- F4150R17ME4B11BPSA1.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max): | 1700V |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: | 2.3V @ 15V, 150A |
| Szállító eszközcsomag: | Module |
| Sorozat: | EconoDUAL™ 3 |
| Csomagolás / tok: | Module |
| Más nevek: | F4-150R17ME4_B11 SP001347656 |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 150°C |
| NTC termisztor: | No |
| Szerelési típus: | Chassis Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 20 Weeks |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Contains lead / RoHS Compliant |
| Bemeneti kapacitás (Cies) @ Vce: | 12nF @ 25V |
| Bemenet: | Standard |
| IGBT típus: | Trench Field Stop |
| Részletes leírás: | IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge 1700V 230A Chassis Mount Module |
| Aktuális - Collector Cutoff (Max): | 3mA |
| Áram - kollektor (Ic) (Max): | 230A |
| Configuration: | Full Bridge |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az F4150R17ME4B11BPSA1-hoz
Latest News
- Az ARM megjelenik a Computex 2024 -ben: Várható, hogy 2025 végéig több mint 100 milliárd ARM -eszköz használható az AI -hez.
- A Qorvo elindította az iparág kiemelkedő, magas szintű 5G Mmimo előzetes előadását
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos