Az F20J5R0E most elérhető!Az LYNTEAM technológia az F20J5R0E állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetF20J5R0Ee-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon F20J5R0E LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
F20J5R0E
- Cikkszám:
- F20J5R0E
- Gyártó:
- Ohmite
- Leírás:
- RES CHAS MNT 5 OHM 5% 20W
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 38642 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- F20J5R0E.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Tolerancia: | ±5% |
| Hőmérsékleti együttható: | ±400ppm/°C |
| Méret / dimenzió: | 0.750" L x 0.375" W (19.05mm x 9.53mm) |
| Sorozat: | Stackohm® 250 |
| Ellenállás: | 5 Ohms |
| Teljesítmény (Watt): | 20W |
| Csomagolás: | Bulk |
| Csomagolás / tok: | Radial, Flat Oval |
| Más nevek: | OHF20J5R0E OHF20J5R0E-ND |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 350°C |
| Felszerelési funkció: | Flange Braces, Right Angle |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 12 Weeks |
| Lead Stílus: | Solder Lugs |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Magasság - Ülés (Max): | 0.375" (9.53mm) |
| Jellemzők: | - |
| Hibázási ráta: | - |
| Részletes leírás: | 5 Ohms ±5% 20W Wirewound Chassis Mount Resistor |
| Összetétel: | Wirewound |
| Bevonat, ház típus: | Vitreous Enamel Coated |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az F20J5R0E-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
F20J4K0E | Ohmite | RES CHAS MNT 4K OHM 5% 20W | Vizsgálat |
|
F20J6K0E | Ohmite | RES CHAS MNT 6K OHM 5% 20W | Vizsgálat |
|
F20J5K0 | Ohmite | RES CHAS MNT 5K OHM 5% 20W | Vizsgálat |
|
F20J800 | Ohmite | RES CHAS MNT 800 OHM 5% 20W | Vizsgálat |
|
F20J500E | Ohmite | RES CHAS MNT 500 OHM 5% 20W | Vizsgálat |
|
F20J800E | Ohmite | RES CHAS MNT 800 OHM 5% 20W | Vizsgálat |
|
F20J7K5 | Ohmite | RES CHAS MNT 7.5K OHM 5% 20W | Vizsgálat |
|
F20J50RE | Ohmite | RES CHAS MNT 50 OHM 5% 20W | Vizsgálat |
|
F20J500 | Ohmite | RES CHAS MNT 500 OHM 5% 20W | Vizsgálat |
|
F20J50KE | Ohmite | RES CHAS MNT 50K OHM 5% 20W | Vizsgálat |
|
F20J4K0 | Ohmite | RES CHAS MNT 4K OHM 5% 20W | Vizsgálat |
|
F20J7K5E | Ohmite | RES CHAS MNT 7.5K OHM 5% 20W | Vizsgálat |
|
F20J75R | Ohmite | RES CHAS MNT 75 OHM 5% 20W | Vizsgálat |
|
F20J75RE | Ohmite | RES CHAS MNT 75 OHM 5% 20W | Vizsgálat |
|
F20J6K0 | Ohmite | RES CHAS MNT 6K OHM 5% 20W | Vizsgálat |
|
F20J40RE | Ohmite | RES CHAS MNT 40 OHM 5% 20W | Vizsgálat |
|
F20J5K0E | Ohmite | RES CHAS MNT 5K OHM 5% 20W | Vizsgálat |
|
F20J50K | Ohmite | RES CHAS MNT 50K OHM 5% 20W | Vizsgálat |
|
F20J50R | Ohmite | RES CHAS MNT 50 OHM 5% 20W | Vizsgálat |
|
F20J5R0 | Ohmite | RES CHAS MNT 5 OHM 5% 20W | Vizsgálat |
Latest News
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- Helyi érett chipmennyiség, Samsung Nand flash memória előállítási kapacitása a terhelés közelében