Az ERD-S2T0V most elérhető!Az LYNTEAM technológia az ERD-S2T0V állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetERD-S2T0Ve-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon ERD-S2T0V LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
ERD-S2T0V
- Cikkszám:
- ERD-S2T0V
- Gyártó:
- Panasonic
- Leírás:
- RES 0 OHM 1/4W JUMP AXIAL
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 49577 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- ERD-S2T0V.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Tolerancia: | Jumper |
| Hőmérsékleti együttható: | - |
| Szállító eszközcsomag: | Axial |
| Méret / dimenzió: | 0.067" Dia x 0.126" L (1.70mm x 3.20mm) |
| Sorozat: | ERDS2 |
| Ellenállás: | 0 Ohms |
| Teljesítmény (Watt): | 0.25W, 1/4W |
| Csomagolás: | Cut Tape (CT) |
| Csomagolás / tok: | Axial |
| Más nevek: | P0.0BACT |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 155°C |
| Megszámolások száma: | 2 |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Magasság - Ülés (Max): | - |
| Jellemzők: | - |
| Hibázási ráta: | - |
| Részletes leírás: | 0 Ohms Jumper 0.25W, 1/4W Through Hole Resistor Axial Carbon Film |
| Összetétel: | Carbon Film |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az ERD-S2T0V-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
ERD-S2TJ102V | Panasonic | RES 1K OHM 1/4W 5% AXIAL | Vizsgálat |
 |
ERD-S2TJ100V | Panasonic | RES 10 OHM 1/4W 5% AXIAL | Vizsgálat |
 |
ERD-S2TJ105V | Panasonic | RES 1M OHM 1/4W 5% AXIAL | Vizsgálat |
 |
ERD-S1TJ913V | Panasonic | RES 91K OHM 1/2W 5% AXIAL | Vizsgálat |
 |
ERD-S1TJ910V | Panasonic | RES 91 OHM 1/2W 5% AXIAL | Vizsgálat |
 |
ERD-S2TJ101V | Panasonic | RES 100 OHM 1/4W 5% AXIAL | Vizsgálat |
 |
ERD-S1TJ912V | Panasonic | RES 9.1K OHM 1/2W 5% AXIAL | Vizsgálat |
 |
ERD-S1TJ823V | Panasonic | RES 82K OHM 1/2W 5% AXIAL | Vizsgálat |
 |
ERD-S1TJ822V | Panasonic | RES 8.2K OHM 1/2W 5% AXIAL | Vizsgálat |
 |
ERD-S2TJ104V | Panasonic | RES 100K OHM 1/4W 5% AXIAL | Vizsgálat |
 |
ERD-S2TJ103V | Panasonic | RES 10K OHM 1/4W 5% AXIAL | Vizsgálat |
 |
ERD-S2TJ111V | Panasonic | RES 110 OHM 1/4W 5% AXIAL | Vizsgálat |
 |
ERD-S1TJ914V | Panasonic | RES 910K OHM 1/2W 5% AXIAL | Vizsgálat |
 |
ERD-S1TJ9R1V | Panasonic | RES 9.1 OHM 1/2W 5% AXIAL | Vizsgálat |
 |
ERD-S1TJ8R2V | Panasonic | RES 8.2 OHM 1/2W 5% AXIAL | Vizsgálat |
 |
ERD-S2TJ110V | Panasonic | RES 11 OHM 1/4W 5% AXIAL | Vizsgálat |
 |
ERD-S1TJ911V | Panasonic | RES 910 OHM 1/2W 5% AXIAL | Vizsgálat |
 |
ERD-S1TJ824V | Panasonic | RES 820K OHM 1/2W 5% AXIAL | Vizsgálat |
 |
ERD-S2TJ112V | Panasonic | RES 1.1K OHM 1/4W 5% AXIAL | Vizsgálat |
 |
ERD-S2TJ113V | Panasonic | RES 11K OHM 1/4W 5% AXIAL | Vizsgálat |
Latest News
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- Helyi érett chipmennyiség, Samsung Nand flash memória előállítási kapacitása a terhelés közelében