Az ELXZ100ELL562MK40S most elérhető!Az LYNTEAM technológia az ELXZ100ELL562MK40S állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetELXZ100ELL562MK40Se-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon ELXZ100ELL562MK40S LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
ELXZ100ELL562MK40S
- Cikkszám:
- ELXZ100ELL562MK40S
- Gyártó:
- Nippon Chemi-Con
- Leírás:
- CAP ALUM 5600UF 20% 10V RADIAL
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 42211 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- ELXZ100ELL562MK40S.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - névleges: | 10V |
| Tolerancia: | ±20% |
| Felszíni földterület: | - |
| Méret / dimenzió: | 0.492" Dia (12.50mm) |
| Sorozat: | LXZ |
| Ripple Current @ alacsony frekvenciájú: | 2.4395A @ 120Hz |
| Ripple Current @ High Frequency: | 2.87A @ 100kHz |
| Értékelések: | AEC-Q200 |
| Polarizáció: | Polar |
| Csomagolás: | Bulk |
| Csomagolás / tok: | Radial, Can |
| Más nevek: | 565-1915 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 105°C |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | Not Applicable |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 16 Weeks |
| Élettartam @ Hőm.: | 7000 Hrs @ 105°C |
| Ólomtartomány: | 0.197" (5.00mm) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Impedancia: | 17 mOhms |
| Magasság - Ülés (Max): | 1.634" (41.50mm) |
| ESR (egyenértékű sorozat rezisztencia): | - |
| Részletes leírás: | 5600µF 10V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can 7000 Hrs @ 105°C |
| Kapacitancia: | 5600µF |
| Alkalmazások: | Automotive |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az ELXZ100ELL562MK40S-hoz
Latest News
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be