Az EDB4416BBBH-1DIT-F-D most elérhető!Az LYNTEAM technológia az EDB4416BBBH-1DIT-F-D állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetEDB4416BBBH-1DIT-F-De-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon EDB4416BBBH-1DIT-F-D LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
EDB4416BBBH-1DIT-F-D
- Cikkszám:
- EDB4416BBBH-1DIT-F-D
- Gyártó:
- Micron Technology
- Leírás:
- IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 24137 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- EDB4416BBBH-1DIT-F-D.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Write Cycle Time - Szó, oldal: | - |
| Feszültségellátás: | 1.14 V ~ 1.95 V |
| Technológia: | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
| Szállító eszközcsomag: | 134-FBGA (10x11.5) |
| Sorozat: | - |
| Csomagolás: | Tray |
| Csomagolás / tok: | 134-WFBGA |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 85°C (TC) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Memória típusa: | Volatile |
| Memória mérete: | 4Gb (256M x 16) |
| Memória interfész: | Parallel |
| Memória formátum: | DRAM |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Részletes leírás: | SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 533MHz 134-FBGA (10x11.5) |
| Órafrekvencia: | 533MHz |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az EDB4416BBBH-1DIT-F-D-hoz
Latest News
- A Qorvo elindította az iparág kiemelkedő, magas szintű 5G Mmimo előzetes előadását
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára