Az E3S-CT11-4 5M most elérhető!Az LYNTEAM technológia az E3S-CT11-4 5M állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetE3S-CT11-4 5Me-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon E3S-CT11-4 5M LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
E3S-CT11-4 5M
- Cikkszám:
- E3S-CT11-4 5M
- Gyártó:
- Omron Automation & Safety
- Leírás:
- SENSOR PHOTOELECT CUSTOM 4.5M
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 48692 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- E3S-CT11-4 5M.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültségellátás: | 12 V ~ 24 V |
| Sorozat: | E3S-C |
| Érzékelési módszer: | Through-Beam |
| Érzékelési távolság: | - |
| Válaszidő: | 1ms |
| Kimeneti konfiguráció: | - |
| Más nevek: | E3S-CT11-4 5M-ND E3S-CT11-45M E3SCT1145M |
| Üzemi hőmérséklet: | -25°C ~ 55°C |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Fényforrás: | Infrared (880nm) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Behatolásvédelem: | NEMA 1, 4X, 6P, 12, 13; IEC 144 IP67 |
| Csatlakozási mód: | Cable |
| Beállítás típusa: | Adjustable, 3/4-Turn Potentiometer |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az E3S-CT11-4 5M-hoz
Latest News
- A Qorvo elindította az iparág kiemelkedő, magas szintű 5G Mmimo előzetes előadását
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára