Az E-ULN2001A most elérhető!Az LYNTEAM technológia az E-ULN2001A állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetE-ULN2001Ae-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon E-ULN2001A LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
E-ULN2001A
- Cikkszám:
- E-ULN2001A
- Gyártó:
- STMicroelectronics
- Leírás:
- TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 29367 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- E-ULN2001A.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max): | 50V |
| Vce telítettség (Max) Ib, Ic: | 1.6V @ 500µA, 350mA |
| Tranzisztor típusú: | 7 NPN Darlington |
| Szállító eszközcsomag: | 16-DIP |
| Sorozat: | - |
| Teljesítmény - Max: | - |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | 16-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Más nevek: | 497-4606-5 |
| Üzemi hőmérséklet: | 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frekvencia - Átmenet: | - |
| Részletes leírás: | Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-DIP |
| DC áramerősség (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 1000 @ 350mA, 2V |
| Aktuális - Collector Cutoff (Max): | - |
| Áram - kollektor (Ic) (Max): | 500mA |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az E-ULN2001A-hoz
Latest News
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- Helyi érett chipmennyiség, Samsung Nand flash memória előállítási kapacitása a terhelés közelében