Az DTB123YCHZGT116 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az DTB123YCHZGT116 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetDTB123YCHZGT116e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon DTB123YCHZGT116 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
DTB123YCHZGT116
- Cikkszám:
- DTB123YCHZGT116
- Gyártó:
- LAPIS Semiconductor
- Leírás:
- PNP -500MA -50V DIGITAL TRANSIST
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 46330 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Vce telítettség (Max) Ib, Ic: | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Tranzisztor típusú: | PNP - Pre-Biased + Diode |
| Szállító eszközcsomag: | SST3 |
| Sorozat: | Automotive, AEC-Q101 |
| Ellenállás - emitteralap (R2): | 10 kOhms |
| Ellenállás - alap (R1): | 2.2 kOhms |
| Teljesítmény - Max: | 200mW |
| Csomagolás: | Original-Reel® |
| Csomagolás / tok: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Más nevek: | DTB123YCHZGT116DKR |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 7 Weeks |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frekvencia - Átmenet: | 200MHz |
| Részletes leírás: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased + Diode 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3 |
| DC áramerősség (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 56 @ 50mA, 5V |
| Aktuális - Collector Cutoff (Max): | - |
| Áram - kollektor (Ic) (Max): | 500mA |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az DTB123YCHZGT116-hoz
Latest News
- Az ARM megjelenik a Computex 2024 -ben: Várható, hogy 2025 végéig több mint 100 milliárd ARM -eszköz használható az AI -hez.
- A Qorvo elindította az iparág kiemelkedő, magas szintű 5G Mmimo előzetes előadását
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos