Az DSEP6-06AS most elérhető!Az LYNTEAM technológia az DSEP6-06AS állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetDSEP6-06ASe-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon DSEP6-06AS LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
DSEP6-06AS
- Cikkszám:
- DSEP6-06AS
- Gyártó:
- IXYS Corporation
- Leírás:
- DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 55013 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- DSEP6-06AS.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: | 2.02V @ 6A |
| Feszültség - DC Fordított (Vr) (Max): | 600V |
| Szállító eszközcsomag: | TO-252AA |
| Sebesség: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Sorozat: | HiPerFRED™ |
| Hátralévő helyreállítási idő (trr): | 20ns |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Más nevek: | DSEP6-06AS-ND DSEP6-06ASTR DSEP606AS |
| Működési hőmérséklet - csatlakozás: | -40°C ~ 175°C |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 32 Weeks |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diódatípus: | Standard |
| Részletes leírás: | Diode Standard 600V 6A Surface Mount TO-252AA |
| Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr: | 50µA @ 600V |
| Aktuális - Átlagosan korrigált (Io): | 6A |
| Capacitance @ Vr, F: | - |
| Alap rész száma: | DSEP6-06 |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az DSEP6-06AS-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
DSEP60-06A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD | Vizsgálat |
 |
DSEP30-06B | IXYS | DIODE GEN 600V 30A ISOPLUS247 | Vizsgálat |
 |
DSEP60-12AR | IXYS Corporation | DIODE GP 1.2KV 60A ISOPLUS247 | Vizsgálat |
 |
DSEP8-02A | IXYS | DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC | Vizsgálat |
|
DSEP60-12A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247AD | Vizsgálat |
|
DSEP30-12AR | IXYS Corporation | DIODE GP 1.2KV 30A ISOPLUS247 | Vizsgálat |
|
DSEP30-06CR | IXYS | DIODE GEN 600V 30A ISOPLUS247 | Vizsgálat |
|
DSEP30-12A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247AD | Vizsgálat |
 |
DSEP60-06AT | IXYS | DIODE GEN PURP 600V 60A TO268AA | Vizsgálat |
|
DSEP30-04A | IXYS | DIODE GEN PURP 400V 30A TO247AD | Vizsgálat |
 |
DSEP40-03AS | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 300V 40A TO263 | Vizsgálat |
|
DSEP30-03AS | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 300V 30A TO247AD | Vizsgálat |
 |
DSEP6-06BS | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA | Vizsgálat |
|
DSEP60-03A | IXYS | DIODE GEN PURP 300V 60A TO247 | Vizsgálat |
|
DSEP60-04A | IXYS | DIODE GEN PURP 400V 60A TO247 | Vizsgálat |
|
DSEP30-12CR | IXYS Corporation | DIODE GP 1.2KV 30A ISOPLUS247 | Vizsgálat |
 |
DSEP30-06BR | IXYS Corporation | DIODE GP 600V 30A ISOPLUS247 | Vizsgálat |
|
DSEP60-025A | IXYS | DIODE GEN PURP 250V 60A TO247AD | Vizsgálat |
|
DSEP75-06AR | IXYS | DIODE GEN 600V 75A ISOPLUS247 | Vizsgálat |
|
DSEP30-06A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD | Vizsgálat |
Latest News
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- Helyi érett chipmennyiség, Samsung Nand flash memória előállítási kapacitása a terhelés közelében