Az DS1100LZ-60+T most elérhető!Az LYNTEAM technológia az DS1100LZ-60+T állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetDS1100LZ-60+Te-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon DS1100LZ-60+T LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
DS1100LZ-60+T
- Cikkszám:
- DS1100LZ-60+T
- Gyártó:
- Maxim Integrated
- Leírás:
- IC DELAY LINE 5TAP 60NS 8SOIC
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 25528 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- DS1100LZ-60+T.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültségellátás: | 3 V ~ 3.6 V |
| Érintse meg a növekményt: | 12ns |
| Szállító eszközcsomag: | 8-SOIC |
| Sorozat: | - |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 85°C |
| Csapok / lépések száma: | 5 |
| Független késleltetések száma: | 1 |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 6 Weeks |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Funkció: | Nonprogrammable |
| Részletes leírás: | Delay Line IC Nonprogrammable 5 Tap 60ns 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Késleltetés az 1. érintésre: | 12ns |
| Alap rész száma: | DS1100L |
| Elérhető Összes késés: | 60ns |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az DS1100LZ-60+T-hoz
Latest News
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be