Az DRV421RTJT most elérhető!Az LYNTEAM technológia az DRV421RTJT állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetDRV421RTJTe-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon DRV421RTJT LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
DRV421RTJT
- Cikkszám:
- DRV421RTJT
- Gyártó:
- TI
- Leírás:
- IC FLUXGATE SENSOR 20WQFN
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 45971 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- DRV421RTJT.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültségellátás: | 3 V ~ 5.5 V |
| Sorozat: | - |
| Érzékelő típusa: | Flux Gate, Closed Loop |
| Érzékenység: | - |
| Válaszidő: | - |
| Polarizáció: | Bidirectional |
| Csomagolás: | Original-Reel® |
| Csomagolás / tok: | 20-WFQFN Exposed Pad |
| kibocsátás: | Ratiometric, Voltage |
| Más nevek: | 296-43158-6 |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 125°C |
| Csatornák száma: | 1 |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 3 (168 Hours) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 16 Weeks |
| Linearitás: | ±0.3% |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frekvencia: | - |
| Méréshez: | AC/DC |
| Részletes leírás: | Current Sensor 1 Channel Flux Gate, Closed Loop Bidirectional 20-WFQFN Exposed Pad |
| Áram - táplálás (max.): | - |
| Aktuális - Érzékelés: | - |
| Pontosság: | ±0.02% |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az DRV421RTJT-hoz
Latest News
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be