Az DMN6040SK3-13 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az DMN6040SK3-13 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetDMN6040SK3-13e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon DMN6040SK3-13 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
DMN6040SK3-13
- Cikkszám:
- DMN6040SK3-13
- Gyártó:
- Diodes Incorporated
- Leírás:
- MOSFET N CH 60V 20A TO252
- Ólommentes állapot:
- Ólom / RoHS megfelel
- Készlet mennyiség:
- 53859 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- DMN6040SK3-13.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - teszt: | 1287pF @ 25V |
| Feszültségelosztás: | TO-252 |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 40 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (Max): | 4.5V, 10V |
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Sorozat: | - |
| RoHS állapot: | Digi-Reel® |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 20A (Ta) |
| Polarizáció: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Más nevek: | DMN6040SK3-13DIDKR |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 8 Weeks |
| Gyártási szám: | DMN6040SK3-13 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 22.4nC @ 10V |
| IGBT típus: | ±20V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 3V @ 250µA |
| FET funkció: | N-Channel |
| Bővített leírás: | N-Channel 60V 20A (Ta) 42W (Tc) Surface Mount TO-252 |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | - |
| Leírás: | MOSFET N CH 60V 20A TO252 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 60V |
| Kapacitásarány: | 42W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az DMN6040SK3-13-hoz
Latest News
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be