Az DG419BDY-E3 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az DG419BDY-E3 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetDG419BDY-E3e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon DG419BDY-E3 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
DG419BDY-E3
- Cikkszám:
- DG419BDY-E3
- Gyártó:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Leírás:
- IC ANALOG SWITCH CMOS 8SOIC
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 59040 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- DG419BDY-E3.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültségellátás, Single (V +): | 12V |
| Feszültségellátás, kettős (V ±): | ±15V |
| Kapcsolási idő (tonna, toff) (Max): | 89ns, 80ns |
| Kapcsoló áramkör: | SPDT |
| Szállító eszközcsomag: | 8-SOIC |
| Sorozat: | - |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Más nevek: | DG419BDYE3 |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Helyzetellenállás (Max): | 25 Ohm |
| Az áramkörök száma: | 1 |
| Multiplexer / demultiplexer áramkör: | 2:1 |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 12 Weeks |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Részletes leírás: | 1 Circuit IC Switch 2:1 25 Ohm 8-SOIC |
| Áram - Szivárgás (IS (kikapcsolva)) (Max): | 250pA |
| Áthallás: | -88dB @ 1MHz |
| Töltés befecskendezés: | 38pC |
| Csatorna-csatornás illesztés (ΔRon): | - |
| Csatorna kapacitás (CS (kikapcsolva), CD (kikapcsolva)): | 12pF, 12pF |
| Alap rész száma: | DG419 |
| -3db sávszélesség: | - |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az DG419BDY-E3-hoz
Latest News
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be