Az DF600R12IP4DVBOSA1 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az DF600R12IP4DVBOSA1 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetDF600R12IP4DVBOSA1e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon DF600R12IP4DVBOSA1 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
DF600R12IP4DVBOSA1
- Cikkszám:
- DF600R12IP4DVBOSA1
- Leírás:
- IGBT MODULE VCES 1200V 600A
- Készlet mennyiség:
- 47834 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- DF600R12IP4DVBOSA1.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Sorozat: | * |
| Más nevek: | DF600R12IP4DV DF600R12IP4DV-ND SP001156302 |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 26 Weeks |
| Részletes leírás: | IGBT Module |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az DF600R12IP4DVBOSA1-hoz
Latest News
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- Helyi érett chipmennyiség, Samsung Nand flash memória előállítási kapacitása a terhelés közelében