Az DF10M/45 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az DF10M/45 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetDF10M/45e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon DF10M/45 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
DF10M/45
- Cikkszám:
- DF10M/45
- Gyártó:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Leírás:
- RECTIFIER BRIDGE 1.0A 1000V 4DIP
- Ólommentes állapot:
- Ólom / RoHS nem megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 40550 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- 1.DF10M/45.pdf2.DF10M/45.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - Peak Reverse (Max): | 1kV |
| Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: | 1.1V @ 1A |
| Technológia: | Standard |
| Szállító eszközcsomag: | DFM |
| Sorozat: | - |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | 4-EDIP (0.300", 7.62mm) |
| Más nevek: | DF10M/45GI DF10MGI DF10MGI-ND |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Diódatípus: | Single Phase |
| Részletes leírás: | Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole DFM |
| Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr: | 5µA @ 1000V |
| Aktuális - Átlagosan korrigált (Io): | 1A |
| Alap rész száma: | DF10 |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az DF10M/45-hoz
Latest News
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be