Az D2TO020C100R0FTE3 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az D2TO020C100R0FTE3 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetD2TO020C100R0FTE3e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon D2TO020C100R0FTE3 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
D2TO020C100R0FTE3
- Cikkszám:
- D2TO020C100R0FTE3
- Gyártó:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Leírás:
- RES SMD 100 OHM 1% 20W TO263
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 49840 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- D2TO020C100R0FTE3.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Tolerancia: | ±1% |
| Hőmérsékleti együttható: | ±150ppm/°C |
| Szállító eszközcsomag: | TO-263 (D²Pak) |
| Méret / dimenzió: | 0.398" L x 0.346" W (10.10mm x 8.80mm) |
| Sorozat: | D2TO20 |
| Ellenállás: | 100 Ohms |
| Teljesítmény (Watt): | 20W |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 155°C |
| Megszámolások száma: | 2 |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Magasság - Ülés (Max): | 0.189" (4.80mm) |
| Jellemzők: | Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive |
| Hibázási ráta: | - |
| Részletes leírás: | 100 Ohms ±1% 20W Chip Resistor TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive Thick Film |
| Összetétel: | Thick Film |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az D2TO020C100R0FTE3-hoz
Latest News
- Az ARM megjelenik a Computex 2024 -ben: Várható, hogy 2025 végéig több mint 100 milliárd ARM -eszköz használható az AI -hez.
- A Qorvo elindította az iparág kiemelkedő, magas szintű 5G Mmimo előzetes előadását
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos