Az BUK7631-100E,118 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az BUK7631-100E,118 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetBUK7631-100E,118e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon BUK7631-100E,118 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
BUK7631-100E,118
- Cikkszám:
- BUK7631-100E,118
- Gyártó:
- Nexperia
- Leírás:
- MOSFET N-CH 100V 34A D2PAK
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 54180 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- BUK7631-100E,118.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | D2PAK |
| Sorozat: | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 31 mOhm @ 10A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 96W (Tc) |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Más nevek: | 1727-1061-2 568-10170-2 568-10170-2-ND 934066642118 BUK7631-100E,118-ND BUK7631100E118 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 1738pF @ 25V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 29.4nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 10V |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 100V |
| Részletes leírás: | N-Channel 100V 34A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 34A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az BUK7631-100E,118-hoz
Latest News
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- Helyi érett chipmennyiség, Samsung Nand flash memória előállítási kapacitása a terhelés közelében