Az BTS555E3146HKSA1 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az BTS555E3146HKSA1 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetBTS555E3146HKSA1e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon BTS555E3146HKSA1 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
BTS555E3146HKSA1
- Cikkszám:
- BTS555E3146HKSA1
- Leírás:
- IC SW PWR HISIDE TO-218-5-146
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 20128 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- BTS555E3146HKSA1.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültségellátás (Vcc / Vdd): | Not Required |
| Feszültség - terhelés: | 5 V ~ 34 V |
| Kapcsolótípus: | General Purpose |
| Szállító eszközcsomag: | TO-218AB/5 |
| Sorozat: | PROFET® |
| Rds On (Typ): | 1.9 mOhm |
| Arány - bemenet: kimenet: | 1:1 |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | TO-218-5 |
| Kimeneti típus: | N-Channel |
| Kimeneti konfiguráció: | High Side |
| Más nevek: | BTS555E3146INLF BTS555E3146INLF-ND SP000842742 |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Kimenetek száma: | 1 |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Felület: | On/Off |
| Bemeneti típus: | Non-Inverting |
| Jellemzők: | - |
| Hibavédelem: | Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage |
| Áram - kimenet (max.): | 128A |
| Alap rész száma: | BTS555 |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az BTS555E3146HKSA1-hoz
Latest News
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be