Az BSS138BKSH most elérhető!Az LYNTEAM technológia az BSS138BKSH állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetBSS138BKSHe-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon BSS138BKSH LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
BSS138BKSH
- Cikkszám:
- BSS138BKSH
- Gyártó:
- Nexperia
- Leírás:
- BSS138BKS/SOT363/SC-88
- Készlet mennyiség:
- 33026 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- BSS138BKSH.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.6V @ 250µA |
| Szállító eszközcsomag: | SOT-363 |
| Sorozat: | Automotive, AEC-Q101 |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 1.6 Ohm @ 320mA, 10V |
| Teljesítmény - Max: | 445mW |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Más nevek: | 1727-7841-2 934065728125 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 56pF @ 10V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 0.7nC @ 4.5V |
| FET típus: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET funkció: | Logic Level Gate |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 60V |
| Részletes leírás: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 320mA (Ta) 445mW Surface Mount SOT-363 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 320mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az BSS138BKSH-hoz
Latest News
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be